трусики женские украина

На головну

 Розробка друкованого вузла портативного частотомера - Радіоелектроніка

Overview Лист1

Аркуш2

Sheet 1: Лист1

 U0вих, В U1вих, В Iпот, мкА Iвх, мкА

 К176 0.3 8100 0.3

 К561 0.8 4.2 100 0.1

 К155 0.4 2.4 30000 40

 К555 0.5 2.7 19000 3000

 bj 0.25 0.33 0.11 0.31 1

Q

 3.33 8 0.01 3.33

 0 0 0 0.67 0.67

 1.25 4.2 0.01 10

 0.63 0.48 0 0 1.1

 2.5 2.4 0 0.03

 0.25 0.7 1 1 2.94

 2 2.7 0 0

 0.4 0.66 0.99 1 3.06

 max 3.33 8 0.01 10

Sheet 2: Лист2

 ІМС

 Резистори

 Пост конденсатори

 Переменка

 b n0 = 0.1

 d ве = 0.5

 d ве = 0.7

 d ве = 0.6

 d ве = 2.5

 delta кп = 0.05

 h 0 = 0.04

 h 0 = 0.04

 h 0 = 0.04

 h 0 = 0.04

 delta ФФ = 0.06

 delta = 0.15

 delta = 0.15

 delta = 0.15

 delta = 0.15

 delta 0 = 0.07

 delta 0 = 0.07

 delta 0 = 0.07

 delta 0 = 0.07

 d MO = 0.94

 d MO = 1.14

 d MO = 1.04

 d MO = 2.94

1

 1.3

 1.3

3

 d кп = 1.29

 d кп = 1.65

 d кп = 1.39

 d кп = 3.29

Національний технічний університет України "КПІ"

Кафедра КіПЕВА

 КУРСОВИЙ ПРОЕКТ

 по курсу

 "Фізико-теоретичні основи конструювання і надійності"

 на тему:

 "Розробка друкованого вузла портативного частотоміра"

 Допущено до захисту:

 "____" _________________ 2000

 Захищено з оцінкою:

 "______________________________"

 Виконав:

 ст. гр. ДК -71 ІІІ курсу ФЕЛ

 Кузін Євген Андрійович

 № заліковки ДК-7112

 Викладач:

 Лескін В.Ф.

Київ - 2000

ЗМІСТ

ТЕХНІЧНЕ ЗАВДАННЯ НА РОЗРОБКУ ПЛАТИ ПОРТАТИВНОГО частотомір. 3

1. Вибір і обґрунтування застосування елементної бази. 5

1.1. Резистори, конденсатори, діоди та інші дискретні компоненти. 5

1.2. Інтегральні мікросхеми. 5

2. Конструкторсько-технологічний розрахунок друкованої плати. 7

2.1. Визначення мінімального діаметра металізованого отвори 7

2.2. Визначення мінімального діаметра монтажного отвору 8

2.3. Визначення мінімального діаметра контактної площадки 8

2.4. Визначення ширини провідників 8

2.5. Визначення мінімальної відстані між провідником і КП з МО 9

2.6. Визначення мінімальної відстані між двома сусідніми КП 9

3. Електричний розрахунок друкованої плати 9

3.1. Визначення максимального падіння напруги на провідниках 9

3.2. Визначення потужності втрат 10

3.3. Визначення ємності між двома паралельно йдуть провідниками на одній стороні ПП 10

3.4. Визначення взаємної індуктивності між двома паралельно йдуть провідниками на одній стороні ПП 10

3.5. Визначення ємності між двома паралельно йдуть провідниками на різних сторонах ПП 11

4. Розміщення конструктивних елементів 11

5. Розрахунок основних показників надійності 12

ВИСНОВКИ 13

Література 14

ТЕХНІЧНЕ ЗАВДАННЯ НА РОЗРОБКУ ПЛАТИ ПОРТАТИВНОГО частотомір.

1. Найменування та область застосування.

Портативний частотомір призначений для вимірювання частоти вхідного сигналу в широкому діапазоні частот.

2. Підстава для розробки.

Підставою для розробки є завдання на курсовий проект.

3. Мета і призначення розробки.

Метою даної розробки є створення, конструкторсько-технологічний і електричний розрахунки друкованого вузла портативного частотоміра.

4. Джерело розробки.

Джерелом розробки є схема електрична принципова портативного частотоміра.

5. Технічні вимоги.

5.1. Склад виробу та вимоги до розробляється пристрою.

Пристрій виготовляється у вигляді окремого друкованого вузла і містить схему власне частотоміра і схему індикації.

5.2. Показники призначення.

5.2.1. Число входів - 1.

5.2.2. Харчування схеми здійснюється від зовнішнього джерела живлення напругою 9 В.

5.2.3. Діапазон вимірюваних частот - 5 Гц ... 100 кГц.

5.3. Вимоги до надійності.

Середній час напрацювання на відмову - не менше 20000 годин.

5.4. Вимоги до технологічності.

Орієнтовані на передові прийоми виготовлення деталей і збірки.

5.5. Вимоги до рівня уніфікації та стандартизації.

Максимально використовувати стандартні та уніфіковані деталі та вироби.

5.6. Вимоги безпеки обслуговування.

Керуватися загальними вимогами техніки безпеки до апаратури низької напруги ГОСТ 12.2.007-75.

5.7. Вимоги до складових частин виробу, сировини, вихідним та експлуатаційним матеріалам.

Покупні вироби і матеріали використовувати без обмежень. Для виготовлення плати Користуйтесь покупні вироби.

5.8. Умови експлуатації.

Кліматичне виконання УХЛ 3.1. ГОСТ 15150-69.

Температура робоча -10 ... + 60 С

Вологість повітря (верхнє значення) 90% при 25 С

Атмосферний тиск 600 ... 800 мм рт.ст.

5.9. Вимоги до маркування і установці.

Виріб повинен містити маркування товарного знака, заводського номера, дати виготовлення, органів управління, місць підключення. Виріб упаковувати в окрему тару.

5.10. Вимоги до транспортування і зберігання.

Група умов зберігання Л1 по ГОСТ 15150-69. Зберігати в закритих опалювальних приміщеннях.

Температура повітря + 1 ... + 40 С

Відносна вологість повітря 65% при 20 С

Атмосферний тиск 84 ... 106 кПа

Транспортіроватть автомобільним і залізничним транспортом у транспортній таре.1. Вибір і обґрунтування застосування елементної бази.

Для створення розроблювального пристрою згідно з технічним завданням необхідно застосувати комплектуючі вітчизняного виробництва та максимально використовувати стандартні компоненти і вироби. Виходячи з цього вибір елементної бази буде следующім.1.1. Резистори, конденсатори, діоди та інші дискретні компоненти.

Для застосування в розробляється пристрої були обрані резистори марки МЛТ потужністю 0,25 Вт Вибір був зроблений, виходячи з міркувань достатньої надійності, точності і низькою загальної вартості приладу. Резистори марки МЛТ в достатньо задовольняють вищенаведеним вимогам і є однією з найбільш поширених марок резисторів, що зіграло вирішальну роль при їх виборі. Інші дискретні компоненти обрані виходячи з аналогічних соображеній.1.2. Інтегральні мікросхеми.

Зважаючи на велику різноманітність серій мікросхем, придатних для використання в розробляється пристрої та значної кількості параметрів мікросхем, їх вибір аналогічно вибору дискретних компонентів скрутний. Тому скористаємося методом вибору компонентів по матриці параметрів. Даний метод полягає в наступному.

У матрицю параметрів заносяться параметри елементів, з яких необхідно вибрати один. У нашому випадку мікросхеми будемо вибирати серед серій К176, К561, К155, К555. Вибір будемо проводити за такими параметрами: напруга виходу нуля Uвих0; напруга виходу одиниці Uвих1; струм споживання Iпот; вхідний струм Iвх. Для цих даних матриця параметрів буде мати наступний вигляд:

 U0вих, В

 U1вих, В

 Iпот, мкА

 Iвх, мкА

 К176

 0,3

8

 100

 0,3

 К561

 0,8

 4,2

 100

 0,1

 К155

 0,4

 2,4

 30000

 40

 К555

 0,5

 2,7

 19000

 3000

 bj

 0,25

 0,33

 0,11

 0,31

bj- ваговий коефіцієнт параметра, який враховує значущість параметра.

Параметри матриці необхідно перерахувати так, щоб більшому значенню параметра відповідало краще властивість елемента. Так як кращими властивостями мікросхеми є низький вихідний напруга нуля, високу вихідну напругу одиниці, низькі вхідний струм і струм споживання, параметри Uвих0, Iпот, Iвхнеобходімо перерахувати (взяти зворотну величину). Після перерахунку параметрів матриця параметрів прийме вигляд:

 3,333333

8

 0,01

 3,333333

 1,25

 4,2

 0,01

 10

 2,5

 2,4

 3,33?10 -5

 0,025

2

 2,7

 5,26?10 -5

 0,000333

Далі параметри матриці нормують за такою формулою:

, Де yij- елемент матриці параметрів, що стоїть в i-му рядку і j-му стовпці аij- аналогічний елемент у нормованої матриці.

Після нормування матриця параметрів прийме вигляд:

0

0

0

 0,666667

 0,625

 0,475

0

0

 0,25

 0,7

 0,996667

 0,9975

 0,4

 0,6625

 0,994737

 0,999967

Для узагальнення аналізу параметрів вводять оцінну функцію Q:

, M - кількість рядків в матриці параметрів.

Після проведення розрахунків значення оціночної функції вийшли наступними:

 К176

 0,666667

 К561

 1,1

 К155

 2,944167

 К555

 3,057204

Необхідна серія ІМС вибирається, виходячи з мінімального значення оціночної функції. На підставі проведених розрахунків для використання в розробляється пристрої вибираємо серію К176.

Примітка: мікросхеми DD8-DD12 (див. Перелік елементів) були обрані з серії К561 тому в серії К176 немає елементу необхідного типу елемента, а серія К561 має значення оціночної функції, максимально близьке до цього значення у серії К176.

Операційний підсилювач К544УД2А (DA1) вибирається аналогічним образом.2. Конструкторсько-технологічний розрахунок друкованої плати.

При виготовленні друкованої плати будемо використовувати в якості підстави склотекстоліт фольгований двосторонній товщиною 2 мм, товщина фольги 35 мкм, марки СФ-2-35-2,0. Спосіб нанесення малюнка розводки - фотохімічний. Клас друкованої плати - 3.2.1. Визначення мінімального діаметра металізованого отвори

, Де Кgt- відношення діаметра металізованого отвори до товщині друкованої плати (ПП), мм; hпп- товщина друкованої плати. У нашому випадку Кgt = 0,33; hпп = 2 мм, d01 = 0,66 мм.2.2. Визначення мінімального діаметра монтажного отвору

, Де dВЕ- діаметр виводу елемента, мм; h0- товщина мідного шару, мм; ?` - зазор між виводом конструктивного елементу (КЕ) і стінкою отвору, мм; ?0- похибка розташування отворів щодо вузла координатної сітки (КС).

У нашому випадку (при h0 = 0,035 мм; ?` = 0,15 мм; ?0 = 0,07 мм):

 Елемент

 d ВЕ, мм

 d МО, мм

 ІМС

 0,5

 0,94

 Резистори

 0,7

 1,14

 Постійні конденсатори

 0,6

 1,04

 Підлаштування конденсатор

 2,5

 2,94

Тому діаметри отворів рекомендується вибирати з ряду номінальних значень, виберемо всі діаметри отворів рівними 1,3 мм, а діаметр отворів під підлаштування конденсатор - 3 мм.2.3. Визначення мінімального діаметра контактної площадки

Формула для розрахунку враховує похибку виготовлення і подтравліваніе фольги при виготовленні малюнка розводки.

, Де bn0- ширина паска контактної площадки, мм; ?КП- похибка розташування контактної площадки щодо вузла КС; ?ФФ- похибка фотокопій і фотошаблонів; hф- товщина фольги. У нашому випадку bn0 = 0,1 мм; ?КП = 0,05 мм; ?ФФ = 0,06 мм; hф = 0,035 мм. Тоді для всіх елементів, крім підлаштування конденсатора dКП = 1,465 мм, для підлаштування конденсатора dКП = 3,285 мм.2.4. Визначення ширини провідників

Мінімальна ширина:

, Де ?СМ- похибка зміщення провідників щодо лінії КС; bпр- ширина провідника. У нашому випадку ?СМ = 0,05 мм; bпр = 0,25 мм; bпр хв = 0,395.

Номінальна ширина:

bпр.н = bпр.мін + ?Т, де ?Т- Ширн провідника в бік зменшення. ?Т0,03 мм, bпр.н = 0,425 мм.2.5. Визначення мінімальної відстані між провідником і КП з МО

, Де lРА- крок КС, lПК = 0,195 мм.2.6. Визначення мінімальної відстані між двома сусідніми КП

, Lкп = 1,115 мм.

3. Електричний розрахунок друкованої плати 3.1. Визначення максимального падіння напруги на провідниках

, Де Imax = сумарний струм споживання схеми; ? - питомий опір міді (матеріалу провідників); lПР- максимальна довжина провідника на платі; tпр- товщина провідного шару; bпр- ширина провідника.

Сумарний струм споживання схеми дорівнює сумарному струму споживання всіх ІМС схеми. Струми споживання використовуваних ІМС наступні:

 ІМС

 Кількість ІМС

 Струм споживання, мА

 К561УД2А

1

 60

 К176ІЕ5

1

 0,25

 К176ЛА7

1

 0,1

 К176ІЕ2

5

 0,1

 К561ІЕ14

5

 0,1

 Сумарний струм споживання схеми

 61,35 мА

За кресленням друкованої плати визначимо максимальну довжину провідника: Lпр = 0,155 м

tпр = 0,035 мм; ? = 0,175 Ом?мм2 / м; bпр = 0,425 мм; тоді ?UПР = 0,11 В.3.2. Визначення потужності втрат

, Де fT- тактова частота роботи схеми; UПІТ- напруга живлення схеми; tg? - тангенс кута діелектричних втрат матеріалу друкованої плати; С - ємність між шарами плати.

В якості fTпрімем вдвічі збільшену максимальну частоту вхідного сигналу частотоміра: fT = 200 кГц. Виходячи зі схеми електричної принципової Uпит = 9 В. Для склотекстоліти tg? = 0,002. Для визначення ємності скористаємося наступною формулою:

, Де ? - діелектрична проникність склотекстоліти, ? = 5,5; S - площа друкованих провідників. Приймемо площа друкованих провідників рівній десяти відсоткам площі одного боку друкованої плати, тоді при розмірах друкованої плати 175 х 135 S = 2207 мм2.

При таких даних С = 54,6 пФ. Тоді Рпот = 1,1?10-5Вт.3.3. Визначення ємності між двома паралельно йдуть провідниками на одній стороні ПП

, Де LПР- максимальна довжина паралельно йдуть провідників на одній стороні ПП; ?ЕФ- ефективна діелектрична проникність, ?ЕФ = 3,25; d - відстань між краями провідників, d = ШКС - bпр. Тоді С = 1,613 пФ.3.4. Визначення взаємної індуктивності між двома паралельно йдуть провідниками на одній стороні ПП

, М = 28,64?10-9Гн3.5. Визначення ємності між двома паралельно йдуть провідниками на різних сторонах ПП

, Де L = - максимальна довжина двох паралельно йдуть провідників на різних сторонах ПП, виходячи з креслення ПП L == 0,02 м.

х, ? (х) - коефіцієнти, що враховують крайовий ефект :, х = 9,41; ? (х) = 3,042; тоді С1 = 6,31?10-14Ф.4. Розміщення конструктивних елементів

Для забезпечення мінімальної довжини провідників і мінімальної кількості перехідних отворів, тобто оптимального розміщення КЕ на ПП застосовується метод розміщення КЕ за допомогою матриці зв'язків. Для спрощення розрахунків в матриці зв'язків враховується тільки розміщення ІМС. Дискретні компоненти розміщуються по можливості ближче до тих елементів, з якими у них найбільша кількість зв'язків.

У матрицю зв'язків заноситься кількість зв'язків між елементами. У нашому випадку матриця зв'язків має вигляд:

 DA1

 DD1

 DD2

 DD3

 DD4

 DD5

 DD6

 DD7

 DD8

 DD9

 DD10

 DD11

 DD12 ?

 DA1

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

 DD1

0

0

1

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

1

 DD2

0

1

0

1

0

0

0

0

0

0

0

0

0

2

 DD3

0

0

1

0

3

2

2

2

4

0

0

0

0

 14

 DD4

0

0

0

3

0

3

2

2

0

4

0

0

0

 14

 DD5

0

0

0

2

3

0

3

2

0

0

4

0

0

 14

 DD6

0

0

0

2

2

3

0

3

0

0

0

4

0

 14

 DD7

0

0

0

2

2

2

3

0

0

0

0

0

4

 13

 DD8

0

0

0

4

0

0

0

0

0

1

1

1

1

8

 DD9

0

0

0

0

4

0

0

0

1

0

1

1

1

8

 DD10

0

0

0

0

0

4

0

0

1

1

0

1

1

8

 DD11

0

0

0

0

0

0

4

0

1

1

1

0

1

8

 DD12

0

0

0

0

0

0

0

4

1

1

1

1

0

8

?i- число зв'язків i-го елемента з усіма іншими (локальна ступінь), де аkj- j-й елемент в k-му рядку матриці зв'язків.

Вибираємо елемент (вершину) з найменшою локальлной ступенем. У нашому випадку - це вершина DA1. Елемент DA1 розміщуємо в позицію Р1. Далі в рядку, сответствует елементу DA1 знаходимо осередок з найбільшою кількістю зв'язків і в позицію Р2 поміщаємо елемент з відповідного стовпця матриці зв'язків. У нашому випадку це елемент DD1. Далі аналізуємо рядок, відповідний елементу DD1 аналогічно попередньої і т.д. В результаті отримаємо наступне розміщення ІМС по посадкових місцях:

 DA1

 DD1

 DD2

 DD3

 DD4

 DD5

 DD6

 DD7

 DD8

 DD9

 DD10

 DD11

 DD12

 Р1

 Р2

 Р3

 Р4

 Р7

 Р8

 Р11

 Р12

 Р5

 Р6

 Р9

 Р10

 Р13

На друкованій платі посадочні місця розмістимо таким чином:

 Р1 Р2 Р3 Р4 Р5

 Р6

 Р7 Р8 Р9

 Р10

 Р11 Р12 Р13

5. Розрахунок основних показників надійності

Основними показниками надійності є інтенсивність відмов ?, ймовірність безвідмовної роботи Р і ймовірність відмови Q.

Занесемо в таблицю найменування і кількість елементів, а також їх параметри інтенсивність відмов ?0Е, коефіцієнт навантаження Кн, температурний коефіцієнт Аті коефіцієнт аВ, що враховує механічні дії на елемент:

 Найменування ел.

 Тип

 Кількість N

 ? 0Е ?10 -7 1 / год

 Кн

 а Т

 а В

 N ? 0Е Кн а Т а В

 ІМС

 К544УД2А

1

 0,26

1

2

 10

 5,2

 К176ІЕ5

1

 0,2

1

2

 10

4

 К176ЛА7

1

 0,2

1

2

 10

4

 К176ІЕ2

5

 0,2

1

2

 10

 20

 К561ІЕ14

5

 0,24

1

2

 10

 24

 Конденсатори

 КМ-5

4

 0,3

 0,8

 1,8

 10

 17,28

 КТ-1

1

 0,3

 0,8

 1,8

 10

 4,32

 К50-16 6В

1

 0,5

1

 2,8

 10

 14

 К50-16 10В

3

 0,5

1

 2,8

 10

 42

 КПК-МП

1

 0,6

1

3

 10

 18

 Резистори

 МЛТ-0,25

 14

 0,02

1

 2,8

 10

 7,84

 Світлодіоди

 АЛС304Б

5

 0,3

 0,8

 1,4

 10

 16,8

 Пьезоізлучатель

 ЗП-1

1

 0,05

 0,5

2

 10

 0,5

 Кварцовий ген.

 32768 Гц

1

 0,01

1

2

 10

 0,2

 Перемикач

 П2К-6

3

 0,5

 0,8

5

 10

 60

 Діод

 КД512А

2

 0,33

1

 1,6

 10

 10,56

 Контакт роз'єму

 РППМ17-48

 36

 0,2

1

1

 10

 72

 Пайка висновків

-

 648

 0,005

1

1

 10

 32,4

 Друкована плата

-

2

1

1

1

 10

 20

Результуюча інтенсивність відмов ?Р = ? N ?0ЕКн Атава, ?Р = 373,1?10-71 / год.

Імовірність безвідмовної роботи за час Т = 1 рік (прибл. 9000 год):

, Р (Т) = 0,715

Імовірність того, що в межах заданої напрацювання виникне відмова пристрою:

Q (T) = 1 P (T), Q (T) = 0,285

Слід зазначити, що час напрацювання на відмову Т = 1 / ?Р = 26802,47 год, що перевищує передбачені технічним завданням 20000 ч.ВИВОДИ

В даному курсовому проекті була проведена розробка друкованого вузла портативного частотоміра. У процесі розробки було проведено розрахунок конструкторсько-технологічних і електричних параметрів розроблюваного устрою. Проведені розрахунки показали повну відповідність розробленого пристрою вимогам технічного завдання. Використані матеріали і деталі - стандартні (крім друкованої плати), нестандартних виробів в конструкції портативного частотоміра використаний не било.Література

Савельєв А.Я., Овчинников В.А. Конструювання ЕОМ і систем .- М .: Висш.шк., 1989.- 312 с.

Горобець А.І. та ін. Довідник з конструювання радіоелектронної апаратури (друковані вузли) .- К .: Техніка, 1985 .- 312 с.

Збірник завдань і вправ з технології РЕА. Під ред. Е.М.Парфенова .- М .: Висш.шк. , 1982 .- 255 с.

 Поз.

 Позначення Найменування Кіл. Примітка

 Інтегральні мікросхеми

 DA1 К544УД2А 1

 DD1 К176ІЕ5 1

 DD2 К176ЛА7 1

 DD3-DD7 К176ІЕ2 5

 DD8-DD12 К561ІЕ14 5

 Конденсатори

 С1, С2 КМ-5 0,22 мкФ 2

 С3 К50-16 50 мкФ х 6 В 1

 С4, С5 К50-16 100 мкФ х 10 В 2

 С6 КТ-27 січня пФ 1

 С7 КПК-МП 8 ... 30 пФ 1

 С8 КМ-травні 2200 пФ 1

 С9 КМ-травні 1000 пФ 1

 С10 К50-16 220 мкФ х 10 В 1

 Резистори

 R1

 МЛТ 0,25-1,6 кОм ?10% 1

 R2

 МЛТ 0,25-1,2 МОм ?10% 1

 R3- R6

 МЛТ 0,25-15 кОм ?10% 4

 R7

 МЛТ 0,25-150 Ом ?10% 1

 R8

 МЛТ 0,25-10 МОм ?10% 1

 R9

 МЛТ 0,25-240 кОм ?10% 1

 R10, R11, R14

 МЛТ 0,25-15 кОм ?10% 3

 R12

 МЛТ 0,25-8,2 кОм ?10% 1

 R13

 МЛТ 0,25-150 кОм ?10% 1

 Інші деталі

 HG1-HG5 Світлодіод АЛС304Б 5

 HA1 Випромінювач п'єзоелектричний ЗП-1 січня

 ZQ1 Генератор кварцовий 32768 Гц 1

 SB1- SB3 Перемикач П2К-3 червень

 VD1, VD2 Діод КД512А 2

 ДК 71.711200 Аркуш

1

 Зм Арк. № докум. Підпис Дата

 Найменування ел. Тип Кількість лямбда Кн а т а в Произв

 Ноги

 ІМС К544УД2А 1 0.26 1 2 10 5.2

 14

 К176ІЕ5 1 0.2 1 2 10 4

 14

 К176ЛА7 1 0.2 1 2 10 4

 14

 К176ІЕ2 5 0.2 1 2 10 20

 80

 К561ІЕ14 5 0.24 1 2 10 24

 80

 Конденсатори КМ-5 4 0.3 0.8 1.8 10 17.28

8

 КТ-1 1 0.3 0.8 1.8 10 4.32

2

 К50-16 6В 1 0.5 1 2.8 10 14

2

 К50-16 10В 3 0.5 1 2.8 10 42

6

 КПК-МП 1 0.6 1 3 10 18

3

 Резистори МЛТ-0,25 14 0.02 1 2.8 10 7.84

 28

 Світлодіоди АЛС304Б 5 0.3 0.8 1.4 10 16.8

 45

 Пьезоізлучатель ЗП-1 1 0.05 0.5 2 10 0.5

2

 Кварцовий ген. 32768 Гц 1 0.01 1 2 10 0.2

2

 Перемикач П2К-6 3 0.5 0.8 5 10 60

7

 Діод КД512А 2 0.33 1 1.6 10 10.56

4

 Контакт роз'єму РППМ17-48 36 0.2 1 1 10 72

 Пайка висновків - 648 0.01 1 1 10 32.4

 Друкована плата - 2 1 1 1 10 20

 лямбда р 373.1

 Т ср 26802.47

 P (t) 0.71

 Q (t) 0.29

 ДК 71.711200 Е3

 Портативний частотомір.

 Схема електрична принципова

 Літ.

 Маса

 Масштаб

 Зм.

 Арк.

 № докум.

 Підпис

 Дата

 Розроб.

 Кузін Е.А.

 Перевір.

 Лескін В.Ф.

 Аркуш 1

 Аркушів 1

 КПІ

 Н. контр.

 Затверд.

 Лескін В.Ф.

 ДК 71.711200

 Портативний частотомір.

 Друкована плата.

 Літ.

 Маса

 Масштаб

 Зм.

 Арк.

 № докум.

 Підпис

 Дата

 Розроб.

 Кузін Е.А.

 Перевір.

 Лескін В.Ф.

 Аркуш 1

 Аркушів 1

 Стеклотекстолит СФ-2-35-2,0 ГОСТ 10316-88 КПІ

 Н. контр.

 Затверд.

 Лескін В.Ф.

 ДК 71.711200 СБ

 Портативний частотомір.

 Складальне креслення.

 Літ.

 Маса

 Масштаб

 Зм.

 Арк.

 № докум.

 Підпис

 Дата

 Розроб.

 Кузін Е.А.

 Перевір.

 Лескін В.Ф.

 Аркуш 1

 Аркушів 1

 КПІ

 Н. контр.

 Затверд.

 Лескін В.Ф.

Авіація і космонавтика
Автоматизація та управління
Архітектура
Астрологія
Астрономія
Банківська справа
Безпека життєдіяльності
Біографії
Біологія
Біологія і хімія
Біржова справа
Ботаніка та сільське господарство
Валютні відносини
Ветеринарія
Військова кафедра
Географія
Геодезія
Геологія
Діловодство
Гроші та кредит
Природознавство
Журналістика
Зарубіжна література
Зоологія
Видавнича справа та поліграфія
Інвестиції
Інформатика
Історія
Історія техніки
Комунікації і зв'язок
Косметологія
Короткий зміст творів
Криміналістика
Кримінологія
Криптологія
Кулінарія
Культура і мистецтво
Культурологія
Логіка
Логістика
Маркетинг
Математика
Медицина, здоров'я
Медичні науки
Менеджмент
Металургія
Музика
Наука і техніка
Нарисна геометрія
Фільми онлайн
Педагогіка
Підприємництво
Промисловість, виробництво
Психологія
Психологія, педагогіка
Радіоелектроніка
Реклама
Релігія і міфологія
Риторика
Різне
Сексологія
Соціологія
Статистика
Страхування
Будівельні науки
Будівництво
Схемотехніка
Теорія організації
Теплотехніка
Технологія
Товарознавство
Транспорт
Туризм
Управління
Керуючі науки
Фізика
Фізкультура і спорт
Філософія
Фінансові науки
Фінанси
Фотографія
Хімія
Цифрові пристрої
Екологія
Економіка
Економіко-математичне моделювання
Економічна географія
Економічна теорія
Етика

8ref.com

© 8ref.com - українські реферати


енциклопедія  бефстроганов  рагу  оселедець  солянка