трусики женские украина

На головну

 Розрахунок і проектування в тонкоплівкових виконанні підсилювача потужності - Технологія

ВПУ-313.

Предмет: Проектування РЕА.

Група: РА-6.

КУРСОВИЙ ПРОЕКТ.

На тему: Розрахунок і проектування в тонкоплівкових

виконанні схеми підсилювача потужності.

Учня: Короткова Е. В.

Викладач:

Данієлян В.С.

Дата видачі завдання:

Дата закінчення проектування:

Москва 1997г.Схема підсилювача потужності.

Ця схема являє собою підсилювач потужності на біполярному транзисторі, включеному за схемою з ОЕ. Перехідною конденсатор C1 пропускає у вхідні ланцюг змінну складову напруги джерела сигналу і не пропускає постійну складову. Блокуючий конденсатор C2 шунтує резистор R4 по змінному струмі, виключаючи тим самим негативний зворотний зв'язок по змінним складовим. Відсутність конденсатора C2 призвело б до зменшення посилення каскаду. В області нижчих частот на роботу підсилювача впливають перехідною і блокуючий конденсатори, в області вищих частот - частотна залежність коефіцієнта струму бази, колекторна ємність і ємність нагрузкі.Опісаніе елементів.

Резистори:

 R1 = 2200 Ом

 R2 = 480 Ом

 R3 = 4500 Ом

 R4 = 120 Ом

 h = 100 мкм

 bтехн = 100 мкм

 ?l = 100 мкм

 ?b = 100 мкм

 ?R1 = 10%

 ?R2 = 0,9%

 ?R3 = 7,2%

 ?R4 = 0,9%

 ??s = 0,4%

 ?sопт = 300 Ом / ?

 P1 = 50 мВт

 P2 = 25 мВт

 P3 = 7 мВт

 P4 = 25 мВт

Конденсатори:

 С1 = 80 пф

 С2 = 2200 пф

 Uраб = 10 в

 Зі = 20 пф / мм * мм

 ? = 5,2

 tg? = 0,002

 Кз = 3

 Tmax = 60 ?C

 ?c = 3%

 ?l = 25 мкм

Вибір методу виготовлення тонкоплівкової ГИМС.

Виходячи з даних видно, що похибка виготовлення резисторів і конденсаторів не більше 10%. Для виготовлення схеми підсилювача потужності вибираємо метод фотолітографії, т. К. Цей метод дає більш високу точність виготовлення ГИМС і більш високий відсоток виходу придатних виробів при серійному і великосерійному виробництві.

Розрахунок конденсаторів.

Вибір матеріалу діелектрика.

Вибір матеріалу діелектрика виробляють за таблицею 3, виходячи з

вихідних даних.

Для C1 - електровакуумне скло C 41 - 1.

Для C2 - електровакуумне скло C 41 - 1.

Матеріалом обкладок для цих конденсаторів буде Al.

Визначення уточненої товщини діелектрика.

d = 0,0885 * ? / Co

d = 0,02301 мм

Визначення площі перекриття обкладок конденсаторів.

S = C / Co * Кз

SС1 = 20 мм * мм

SС2 = 550 мм * мм

Визначення розмірів обкладок конденсаторів.

Розміри верхніх обкладок конденсаторів будуть рівні:

__

lв.о. = bв.о. = ? S

lв.о.С1 = bв.о.С1 = 4,472 мм

lв.о.С2 = bв.о.С2 = 23,452 мм

Розміри нижніх обкладок конденсаторів, з урахуванням допусків на

перекриття, будуть рівні:

lн.о. = bн.о. = lв.о. + 2 (?l + g)

lн.о.С1 = bн.о.С1 = 4,922 мм

lн.о.С2 = bн.о.С2 = 23,902 мм

Визначення розмірів міжшарового діелектрика.

lд / е = bд / е = lн.о. + 2 (?l + f)

lд / е С1 = bд / е С1 = 5,372 мм

lд / е С2 = bд / е С2 = 24,352 мм

Визначення площі, займаної конденсаторами, за розмірами діелектрика.

S = lд / е * bд / е

SС1 = 28,858 мм * мм

SС2 = 593.0199 мм * мм

Розрахунок резисторів.

Вибір матеріалу резистивної плівки.

Для R1 - нихром X20H80.

Для R2 - нихром X20H80.

Для R3 - нихром X20H80.

Для R2 - нихром X20H80.

Перевіримо, чи правильно обраний матеріал резистивного шару.

?ф = ?R / R * 100 - ??s / ?s * 100;

?ф1 = 0,3212

?ф2 = 0,0542

?ф3 = 0,0267

?ф4 = 0,6167

Резистивний матеріал обраний вірно т.к. ?ф1; ? ф 2; ? ф 3; ? ф 4> 0

Вкачестве матеріалу контактних майданчиків використовуємо Cu.

Визначення коефіцієнта форми резисторів.

Коефіцієнт форми визначається за формулою: Kф =;

КФ1 = 7,3

КФ2 = 1,6

Кф3 = 15

КФ4 = 0,4

Визначення конструкції резисторів за величиною коефіцієнта форми.

Для R1 - Форма прямокутна, тому 1 ? Кф ? 10

Для R2 - Форма прямокутна, тому 1 ? Кф ? 10

Для R3 - Форма складовою меандр, тому 10 ? Кф ? 50

Для R4 - Форма прямокутна, тому Кф

ширина> довжини

Визначення ширини резисторів.

Розрахунок точної ширини резисторів проводиться за формулою:

bточн = (?l / Кф + ?b) / ?ф;

Розрахунок ширини резисторів з урахуванням їх потужності:

bр =;

Для R1 - bр = 0,58 мм

Для R2 - bр = 0,88 мм

Для R3 - bр = 0,15 мм

Для R4 - bр = 1,76 мм

Для R1 - bточн = 0,8849 мм

Для R2 - bточн = 4,9 мм

Для R3 - bточн = 9,9875 мм

Для R4 - bточн = 1,4188 мм

Вибираємо з усіх значень ширини опору максимальне

значення:

R1 max [bтехн = 0.1 мм bточн = 0,88 мм bp = 0,58 мм] b1 = 0,88 мм

R2 max [bтехн = 0.1 мм bточн = 4,9 мм bp = 0,88 мм] b2 = 4,9 мм

R3 max [bтехн = 0.1 мм bточн = 9,98 мм bp = 0,15 мм] b3 = 9,98 мм

R4 max [bтехн = 0.1 мм bточн = 1,41 мм bp = 1,76 мм] b4 = 1,76 мм

Розрахунок довжини резисторів.

Розрахункова довжина резистора визначається як: lрасч = b * Kф;

Повна довжина резистора визначається як: lполн = lрасч + 2h;

Lрасч R1 = 6,424 мм

Lрасч R2 = 7,84 мм

Lрасч R3 = 149,7 мм

Lрасч R4 = 0,704 мм

Lполн R1 = 6,624 мм

Lполн R2 = 8,04 мм

Lполн R3 = 149,9 мм

Lполн R4 = 0,904 мм

Розрахунок площі резисторів.

S = lполн * b

SR1 = 5,829 мм * мм

SR2 = 39,396 мм * мм

SR3 = 1496 мм * мм

SR4 = 1,59 мм * мм

Всі отримані значення резисторів наведені в таблиці:

 Резистор

 Номінал

 Матеріал

 Резистора

 Розміри

 b, мм

 Розміри

 l, мм

 Розміри

 S, мм * мм

 Коеф.

 форми

 R1

 2,2 кОм

 X20H80

 0,88

 6,624

 5,83

 7,3

 R2

 480 Ом

 X20H80

 4,9

 8,04

 39,39

 1,6

 R3

 4,5 кОм

 X20H80

 9,98

 149,9

 1496

 15

 R4

 120 Ом

 X20H80

 1,76

 0,904

 1,59

 0,4

Розрахунок площі поверхні.

Площа підкладки розраховується за формулою:

Sподл. = KS;

S?R = R1 + R2 + R3 + R4

S?R = 1542,81 мм * мм

S?C = C1 + C2

S?C = 621,87 мм * мм

S?КП = 48 мм * мм

S?Н.Е. = 120 мм * мм

При KS = 2 виходить:

Sподл. = 2332,68 мм * мм

Sфакт.подл. = 45 * 52 = 2340 мм * мм

Авіація і космонавтика
Автоматизація та управління
Архітектура
Астрологія
Астрономія
Банківська справа
Безпека життєдіяльності
Біографії
Біологія
Біологія і хімія
Біржова справа
Ботаніка та сільське господарство
Валютні відносини
Ветеринарія
Військова кафедра
Географія
Геодезія
Геологія
Діловодство
Гроші та кредит
Природознавство
Журналістика
Зарубіжна література
Зоологія
Видавнича справа та поліграфія
Інвестиції
Інформатика
Історія
Історія техніки
Комунікації і зв'язок
Косметологія
Короткий зміст творів
Криміналістика
Кримінологія
Криптологія
Кулінарія
Культура і мистецтво
Культурологія
Логіка
Логістика
Маркетинг
Математика
Медицина, здоров'я
Медичні науки
Менеджмент
Металургія
Музика
Наука і техніка
Нарисна геометрія
Фільми онлайн
Педагогіка
Підприємництво
Промисловість, виробництво
Психологія
Психологія, педагогіка
Радіоелектроніка
Реклама
Релігія і міфологія
Риторика
Різне
Сексологія
Соціологія
Статистика
Страхування
Будівельні науки
Будівництво
Схемотехніка
Теорія організації
Теплотехніка
Технологія
Товарознавство
Транспорт
Туризм
Управління
Керуючі науки
Фізика
Фізкультура і спорт
Філософія
Фінансові науки
Фінанси
Фотографія
Хімія
Цифрові пристрої
Екологія
Економіка
Економіко-математичне моделювання
Економічна географія
Економічна теорія
Етика

8ref.com

© 8ref.com - українські реферати


енциклопедія  бефстроганов  рагу  оселедець  солянка